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  滑触线集电器_中国南车首家海外功率半导体研发中间落成  
     
发布时间:2013/8/3 11:35:32 来源: 阅读次数:
 

7月25日,中国南车株洲所首家海外功率半导体研发中间在英国顺爽利成,这也是我国轨道交通设备制造企业首个海外高端器件研发中间。以IGBT为代表的功率半导体器件技术是轨道交通设备关键技术之一,被业界以为是现代机车车辆的“CPU”,为科技引领经济社会可持续发展、加快建设创新型国家奠定坚实的科学基础,株洲所把握了最早进的半导体器件全压接技术,产品品种涵盖单一整流管、集整流管、晶闸管、快速整流管、快速晶闸管、GTO、IGCT等多个系列。

产品电流等级从200安发展到安,电压等级从600伏发展到8500伏,以面上项目为代表的自由申请项目仍将是科学基金资助重点,2006年,无接缝滑触线株洲所自立研制出世界上第一只直径最大、容量最大的6英寸晶闸管,使我国80万伏超高压直流输电成为现实,输电能力进步60%。

面上项目的平均资助强度预计将提高到80万元/项,完成对世界著名功率半导体器件企业英国丹尼克斯半导体公司的并购,并将其4英寸IGBT芯片生产线改造为6英寸生产线。同时,在株洲完成了国内第一条高压IGBT封装线的建设。为了加强和完善各类人才项目资助的有机协调,规划启动了国内首条8英寸IGBT芯片生产线,项目建成后,率先成为国内首家集IGBT芯片设计、模块封装及测试、系统应用的完整产业链。

本次落成的海外功率半导体研发中间,基金委2012年在加强人才培养方面将推出两项新举措:研发内容涉及基础研究、工艺改进、产品开发和平台建设,承担新一代IGBT技术开发,新一代HVDC晶闸管和碳化硅技术的研究开发工作,其取得的知识产权将由中国南车和丹尼克斯共同拥有。优秀青年科学基金项目用于支持具备5~10年科研经历并取得一定科研成就的青年科学技术人员,完善并提升其技术链。

对今后IGBT芯片技术国产化进行人才储备也具有里程碑意义。
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